OS1型单模光纤：

      DAG-WIT 9/125μm OS1单模光纤符合或优于ITU-TG.625.B和IEC60793-2-50B1

      型光纤技术规范

      相比于G.652.D 光纤，可减少15%的衰减，1550nm波长的衰耗小于0.17dB/km。

      得益于先进的等离子体化学气相沉积(PCVD)技术，水峰典型值为 0.4dB/km。

      具有下陷折射率剖面，有效减少了宏弯和微弯附加损耗，其完全弯曲性能超过

      ITU-T G.657.A1标准。

      宏弯损耗优于G.652.D标准10倍以上，有利于更小、更轻的光缆设计，减少弯曲安

      装的返工时间。

      采用特殊的材料设计，具有良好的抗氢老化特性，以保证光纤性能的稳定性。

      能有效满足了高速、大容量、长距离传输信号的发展要求。

      提高光信噪比（OSNR），升级到100Gb/s, 400Gb/s 甚至更高

      增加系统冗余,降低系统成本

      更小更轻的光缆设计

      减少弯曲安装及维护的返工时间

OS2型单模光纤：

     DAG-WIT 9/125μm OS2零水峰单模光纤符合或优于ITU-TG.625.D和IEC60973-2-50 

     B1.3型光纤技术规范。零水峰非色散位移单模光纤适用于1260－1625 nm全波段的传

     输系统。它抑制了普通单模光纤在1383 nm附近由于氢氧根离子（OH－）吸收造成的

     水峰损耗，将工作窗口扩大到E波段（1360－1460nm），从而增加了约100 nm的光谱

     带宽。全面优化了1260－1625 nm全波段的衰减和色散特性，并提高了L波段（1565－

     1625nm）的抗宏弯性能，充分满足了在单根光纤上多信道传输高速率业务的需求。

     DAG-WIT 9/125μm OS2低水峰单模光纤具有很宽的光谱带宽和优越的光学特性，是支

     持以太网、互联网协议（IP）、异步传输模式（ATM）、同步光网络（SONET）和波分

     复用系统（WDM）等不同传输技术的最佳选择。

     DAG-WIT 9/125μm OS2低水峰单模光纤为骨干网、城域网和接入网提供了更大的带宽

     资源，满足了语音、数字、图像传输等多种业务对带宽资源的要求。

     DAG-WIT 9/125μm OS2低水峰单模光纤采用等离子体激活化学气相沉积（简称PCVD）

     工艺制造，具有折射率分布控制精确、几何特性优越和衰减低等优点。

     实现1260－1625 nm全波段的传输，光谱带宽增加50％，提高了系统传输容量

     优越的光学特性满足了高速率DWDM和CWDM系统的传输要求

     与现有的1310 nm传输设备兼容

     涂层保护性好、剥离性能优越

     精确的几何参数确保低熔接损耗和高熔接效率